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<테크X113>삼정전자 수직으로 쌓은 3D HBM 선보여 zHBM 성능 최대 8배…적층 한계 넘는다HBM5 대비 전력 효율 3배·열저항 절반데이터 이동거리 줄여 데이터 병목 해소삼성전자가 공개한 차세대 3D 메모리 기술 'zHBM' 모형. AI 연산을 담당하는 xPU 위에 HBM을 수직으로 쌓은 구조를 보여준다. 기존 HBM이 GPU 옆에 놓였다면 zHBM은 메모리를 GPU 위에 올려 데이터 이동거리를 줄이는 방식이다. 메모리와 연산장치를 가깝게 붙여 AI 성능과 전력 효율을 높이는 것이 핵심이다. / 사진=삼성전자인공지능(AI) 반도체의 메모리 경쟁이 '더 빠르게'에서 '더 가깝게'로 진화하고 있다. 삼성전자가 AI 가속기 바로 위에 고대역폭메모리(HBM)를 수직으로 쌓아 올려 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 차세대 3차원(3D) 메모리 아키텍처 'zHBM' 400단이 넘는 초고적층 낸드플래시 'zNAND-O'를 공개하면서다."HBM을 옆이 아닌 위에"…'Z축'으로 승부수 던진 삼성전자8일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 미국 캘리포니아주 샌타클래라 컨벤션센터에서 열린 세계 최대 규모의 메모리·저장장치 산업 전시·콘퍼런스 'FMS 2026'에서 차세대 3D 메모리 아키텍처인 'zHBM'과 'z낸드-O'를 처음 공개했다.이는 고성능컴퓨팅(HPC) 및 AI 인프라 수요 증가에 대응하고 AI 시스템 성능과 전력 효율을 극대화하기 위한 차세대 메모리 기술이다. 가로와 세로 방향의 평면 공간을 활용하던 2.5D 패키징에서 높이 방향인 Z축까지 활용하는 3D 패키징으로 전환했다. 이름에 'z'가 들어간 것도 이같은 이유에서다.zHBM은 기존 반도체 배치 방식을 바꾼 혁신 기술로 손색이 없다는 게 학계 분석이다. 그동안 HBM은 그래픽처리장치(GPU)와 같은 AI 가속기 옆에 배치돼 데이터를 주고받았다. zHBM은 이와 달리 AI 가속기 바로 위에 메모리를 수직으로 쌓아 올린다.GPU는 계산에 필요한 데이터를 메모리에서 가져오는 데 시간이 걸리면 전체 시스템 속도가 저하된다. 고속도로를 달리는 자동차가 아무리 빨라도 톨게이트에서 막히면 목적지까지 오래 걸리는 것과 같은 이치다. AI 반도체에서 메모리와 GPU 사이의 데이터 이동이 새로운 병목으로 떠오른 이유이기도 하다.HBM이 처음 개발된 것도 이 문제를 해결하기 위해서다. HBM은
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